近日，吉林大學鄒廣田院士團隊在大尺寸單晶金剛石制備領域取得重大突破，成功研發(fā)出擁有自主知識產權的“臺階流調控技術”，并制備出2英寸(50×50mm²)單晶金剛石。相關成果發(fā)表于國際學術期刊《FunctionalDiamond,2026,6,2620820》。標志著我國在“下一代超寬禁帶半導體”戰(zhàn)略材料金剛石的制備技術上邁出關鍵一步。
金剛石以其卓越的物理和電學性能，被譽為“終極半導體”材料，在功率電子、射頻器件、量子信息等前沿領域具有廣闊應用前景。
圍繞高質量單晶金剛石制備難題，鄒廣田團隊持續(xù)開展系統(tǒng)攻關，在生長機理、晶體質量控制及晶圓加工等方面取得多項原創(chuàng)成果：一是發(fā)現“單晶生長區(qū)”，實現無邊緣多晶伴生穩(wěn)定生長；二是揭示“一致臺階流”對籽晶拼接縫平滑過渡的關鍵作用，簡化工藝、降低成本；三是聯(lián)合研發(fā)激光隱形切割技術，成功剝離厚度350微米的自支撐單晶金剛石晶圓，尺寸與結晶質量均達到國內外先進水平。
吉林大學高壓與超硬材料全國重點實驗室60余年深耕，從1987年第一片CVD金剛石到2026年2英寸單晶+毫米級六方金剛石+界面優(yōu)化，形成國內最完整的金剛石研發(fā)-制備-應用鏈條。這一體系支撐國家自主可控，更為全球碳基半導體與超硬技術貢獻方案。隨著器件集成驗證與產學研融合，金剛石必將迎來全面商業(yè)化黃金期。
